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纳米器件及相关材料研究部 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所19 K L. Li, Y. R. Sun, J. R. Xiumei Geng, Yufen Guo, Dongfa. 地址 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 邮编 215123. 版权所有 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 技术支持 苏州托普斯网络.
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研究员 中科院“百人计划”. 地址 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 邮编 215123. 版权所有 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 技术支持 苏州托普斯网络.
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氮化镓 GaN 基半导体材料被称为第三代宽禁带半导体材料，其成员包括氮化铟 InN，Eg =0.7 eV)、氮化镓 GaN，Eg =3.4 eV 和氮化铝 AlN，Eg =6.2eV 及其合金化合物。 通过对组分的调控，室温下 InxAlyGa1-x-yN 0≤x≤1, 0≤y≤1,0≤x y≤1 四元合金化合物的禁带宽度在0.7 eV 6.2 eV的范围内连续可调，对应的光谱范围覆盖了紫外到近红外的宽广波段，因而在光电子器件领域具有广泛的应用，可以用来制备太阳能电池以及发光二极管 LED 与激光器 LD 等。 本课题组的主要研究方向有 1. GaN基激光器的材料生长、器件制备和器件物理 2. GaN基蓝光激光器和绿光激光器. 1 刘建平, GaN基蓝光和绿光激光器研究最新进. 2 刘建平，Suppression of the. 1 刘建平, Suppressing the i. 23] Pengyan Wen, Shum. 25] Feng Zhang, Masao. 26] Hu Weiwei, Zhang Shu. 27] Aiqin Tian, Jianping.
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2014-5-24 ][点击数 1436 ]. 针对上述问题，部门于5.24日上午9:30在食堂一楼举行了迎端午-“端午节之粽米传香”活动。 地址 苏州工业园区独墅湖高教区若水路398号 邮编 215123. 版权所有 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 技术支持 苏州托普斯网络.
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